IRF7341GTRPBF

产品信息

晶体管极性:

N沟道

漏源电压, Vds:

55V

电流, Id 连续:

5.1A

在电阻RDS（上）:

0.043ohm

晶体管封装类型:

SOIC

晶体管安装:

表面安装

电压 @ Rds测量:

10V

阈值电压 Vgs:

1V

功耗 Pd:

1.7W

针脚数:

8引脚

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

HEXFET Series

汽车质量标准:

-

MSL:

-