SI5908DC-T1-E3

产品信息

晶体管极性:

N沟道

漏源电压, Vds:

20V

电流, Id 连续:

4.4A

在电阻RDS（上）:

0.032ohm

晶体管封装类型:

ChipFET

晶体管安装:

Surface Mount

电压 @ Rds测量:

4.5V

阈值电压 Vgs:

400mV

功耗 Pd:

1.1W

针脚数:

8引脚

工作温度最高值:

150°C

产品范围:

-

汽车质量标准:

-

MSL:

MSL 1 - Unlimited