IRF7501TRPBF

产品信息

晶体管极性:

N沟道

漏源电压, Vds:

20V

电流, Id 连续:

2.4A

在电阻RDS（上）:

0.085ohm

晶体管封装类型:

µSOIC

晶体管安装:

表面安装

电压 @ Rds测量:

4.5V

阈值电压 Vgs:

700mV

功耗 Pd:

1.25W

针脚数:

8引脚

工作温度最高值:

150°C

产品范围:

HEXFET Series

汽车质量标准:

-

MSL:

MSL 2 - 1年