SISS61DN-T1-GE3

产品信息

晶体管极性:

P沟道

漏源电压, Vds:

20V

电流, Id 连续:

111.9A

在电阻RDS（上）:

0.0029ohm

晶体管封装类型:

PowerPAK 1212

晶体管安装:

表面安装

电压 @ Rds测量:

4.5V

阈值电压 Vgs:

900mV

功耗 Pd:

65.8W

针脚数:

8引脚

工作温度最高值:

150°C

产品范围:

TrenchFET Gen III Series

汽车质量标准:

-

MSL:

MSL 1 -无限制