产品概述
IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb高速静态RAM, 512K字, 每字16位. 它使用ISSI的高性能CMOS技术制造. 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可获得高性能和低功耗的器件. 当CS1为HIGH (取消选择)或CS2为LOW (取消选择) 或CS1为LOW时, CS2为HIGH, 而且LB与UB均为HIGH时, 器件进入待机模式, 在此模式下, CMOS输入电平可降低功耗. 通过使用Chip Enable和Output Enable输入, 可提供存储器扩展. 低电平有效Write Enable (WE)控制存储器的写入和读取. 数据字节允许高字节 (UB)和低字节 (LB)访问.
- 36mW运作 (典型值), 12µW (典型值)CMOS待机CMOS低功耗运作
- TTL兼容接口电平
- 完全静态运行, 无需时钟或刷新
- 三态输出
- 数据控制用于高与低字节
应用
工业, 车用
产品信息
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- 8Mbit
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- 512K x 16位
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- 2.5V 至 3.6V
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- TSOP-II
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- 44引脚
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- 55ns
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- -40°C
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- 85°C
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- IS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL
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- MSL 5 - 48小时