产品概述
DS1225Y-150+ 是一款64K非易失性SRAM, 28引脚DIP封装。这款65536 bit, 全静态非易失性RAM采用8192 word x 8 bit结构。这款NV SRAM具有独立的锂电源和控制电路, 可连续检测VCC是否超出允许范围。在这种情况下, 锂电源会自动开启, 并且无条件启用写入保护, 以防止数据损坏。这款非易失性SRAM可以代替8K x 8 SRAM, 采用流行的标准28引脚DIP封装。DS1225Y与2764 EPROM和2864 EEPROM引脚布局兼容, 可以直接替换, 并提高性能。写入周期没有限制, 连接微处理器不需要额外的支持电路。
- 无外部电源情况下, 最少10年数据保留
- 断电时自动保护数据
- 可替代2K x 8易失性静态RAM或EEPROM
- 无限写入周期
- 低功耗CMOS
- 读写访问时间: 150ns
- ±10%工作范围
- 电源电压范围: ±4.5V至±5.5V
- 工作温度范围: 0°C到70°C
应用
嵌入式设计与开发
产品信息
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- SRAM
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- 64Kbit
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- 8K x 8位
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- 150ns
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- DIP
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- 28引脚
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- 4.5V
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- 5.5V
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- 0°C
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- 70°C
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