产品概述
IR21064SPBF 是一款高压高速功率MOSFET与IGBT高压侧和低压侧驱动器, 独立的高压侧和低压侧参考输出通道. 专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了稳定耐用的单片结构. 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容, 并且兼容3.3V逻辑. 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级, 旨在确保最小的驱动器交叉传导. 浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT, 高压侧配置下, 工作电压可达600V。
- 浮动通道设计用于自举运作
- 可承受负瞬态电压 (DV/DT免疫)
- 两条通道具有欠压闭锁
- 兼容3.3, 5和15V逻辑输入
- 两条通道具有匹配的传播延迟
- 逻辑与电源接地±5V失调
- 低di/dt栅极驱动器, 增强抗噪能力
- 输出与输入同相
应用
电源管理, 工业
产品信息
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- 2放大器
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- 高压侧和低压侧
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- IGBT, MOSFET
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- 14引脚
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- SOIC
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- 非反向
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- 200mA
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- 350mA
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- 10V
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- 20V
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- -40°C
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- 125°C
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- 220ns
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- 200ns
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- MSL 3 - 168小时