产品概述
IR2103SPBF 是一款高压高速功率MOSFET与IGBT半桥驱动器, 高压侧和低压侧参考输出通道. 专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了稳定耐用的单片结构. 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容, 并且兼容3.3V逻辑. 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级, 旨在确保最小的驱动器交叉传导. 浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT, 高压侧配置下, 工作电压高达600V。
- 浮动通道设计用于自举运作
- 可承受负瞬态电压 (DV/DT免疫)
- 欠压锁定
- 兼容3.3, 5和15V逻辑输入
- 防跨导逻辑
- 两条通道具有匹配的传播延迟
- 内部设置停滞时间
- 高压侧输出, 与HIN输入同相
- 低压侧输出, 与LIN输入同相
应用
电源管理
产品信息
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- 2放大器
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- 半桥
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- MOSFET
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- 8引脚
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- SOIC
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- 反相, 非反相
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- 210mA
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- 360mA
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- 10V
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- 20V
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- -40°C
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- 125°C
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- 680ns
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- 150ns
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- MSL 2 - 1年