IXFN420N10T

产品信息

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

420A

漏源电压, Vds:

100V

在电阻RDS（上）:

0.0023ohm

电压 @ Rds测量:

10V

阈值电压 Vgs:

5V

功耗 Pd:

1.07kW

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

GigaMOS HiperFET Series