IXFN180N25T

产品信息

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

168A

漏源电压, Vds:

250V

在电阻RDS（上）:

0.0129ohm

电压 @ Rds测量:

10V

阈值电压 Vgs:

5V

功耗 Pd:

900W

工作温度最高值:

150°C

产品范围:

GigaMOS Series