IXFN80N50Q3

产品信息

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

63A

漏源电压, Vds:

500V

在电阻RDS（上）:

0.065ohm

电压 @ Rds测量:

10V

阈值电压 Vgs:

6.5V

功耗 Pd:

780W

工作温度最高值:

150°C

产品范围:

HiPerFET Series