NTB082N65S3F

产品信息

晶体管极性:

N沟道

漏源电压, Vds:

650V

电流, Id 连续:

40A

在电阻RDS（上）:

0.07ohm

晶体管封装类型:

TO-263 (D2PAK)

晶体管安装:

表面安装

电压 @ Rds测量:

10V

阈值电压 Vgs:

5V

功耗 Pd:

313W

针脚数:

3引脚

工作温度最高值:

150°C

产品范围:

SUPERFET III FRFET Series

汽车质量标准:

-

MSL:

MSL 1 -无限制