产品概述
The SIA456DJ-T1-GE3 is a 200VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for boost converter applications.
- New thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint area
- Low ON-resistance
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
应用
工业, 电源管理, 便携式器材
产品信息
- :
- N沟道
- :
- 200V
- :
- 2.6A
- :
- 1.08ohm
- :
- SC-70
- :
- 表面安装
- :
- 4.5V
- :
- 1.4V
- :
- 19W
- :
- 6引脚
- :
- 150°C
- :
- -
- :
- -
- :
- -