产品概述
The SI2307BDS-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
应用
工业, 电源管理
产品信息
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- P沟道
- :
- 30V
- :
- 2.5A
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- 0.063ohm
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- SOT-23
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- 表面安装
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- 10V
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- 3V
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- 750mW
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- 3引脚
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- 150°C
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- MSL 1 -无限制