产品概述
- 60V, 5ohm, N-channel, enhancement-mode, vertical DMOS FET
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Low CISS and fast switching speeds
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and high gain
产品信息
- :
- N沟道
- :
- 60V
- :
- 200mA
- :
- 5ohm
- :
- TO-92
- :
- 通孔
- :
- 10V
- :
- 3V
- :
- 1W
- :
- 3引脚
- :
- 150°C
- :
- -
- :
- -
- :
- -