SI2306BDS-T1-E3

产品概述

The SI2306BDS-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

  • 100% Rg tested
  • -55 to 150°C Operating temperature range

应用

工业, 电源管理

产品信息


:
N沟道

:
30V

:
4A

:
0.038ohm

:
TO-236

:
表面安装

:
10V

:
3V

:
1.25W

:
3引脚

:
150°C

:
-

:
-

:
-

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