产品概述
The SI2306BDS-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
应用
工业, 电源管理
产品信息
- :
- N沟道
- :
- 30V
- :
- 4A
- :
- 0.038ohm
- :
- TO-236
- :
- 表面安装
- :
- 10V
- :
- 3V
- :
- 1.25W
- :
- 3引脚
- :
- 150°C
- :
- -
- :
- -
- :
- -