产品概述
DE475-102N21A是一款1000V N沟道增强模式射频功率MOSFET, 具有低RDS (on), 适用于激光驱动器, 感应加热, 开关模式电源与开关工业应用.
- 高反向电压
- 优秀的热转移
- 提升温度与功率循环能力
- IXYS先进的低Qg工艺
- 低栅极电荷与电容, 提供更容易驱动和更快速切换
- 非常低的插入电感
- 无氧化铍 (BeO)或其他有害物质
- 易于安装, 无需绝缘器
- 高功率密度
应用
电源管理, 工业
产品信息
- :
- 1kV
- :
- 24A
- :
- 1.8kW
- :
- -
- :
- 30MHz
- :
- DE-475
- :
- 6引脚
- :
- 175°C
- :
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