FQA11N90-F109

产品信息

晶体管极性:

N沟道

漏源电压, Vds:

900V

电流, Id 连续:

11.4A

在电阻RDS（上）:

0.75ohm

晶体管封装类型:

TO-3PN

电压 @ Rds测量:

10V

阈值电压 Vgs:

5V

功耗 Pd:

300W

针脚数:

3引脚

工作温度最高值:

150°C

产品范围:

QFET Series

汽车质量标准:

-