产品概述
The SI1308EDL-T1-GE3 is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 500mW.
- PWM optimized for fast switching
- 100% Rg Tested
- Up to 1800V ESD protection
- Halogen-free
应用
电源管理, 工业
产品信息
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- N沟道
- :
- 30V
- :
- 1.4A
- :
- 0.11ohm
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- SOT-323
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- 表面安装
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- 10V
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- 600mV
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- 500mW
- :
- 3引脚
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- 150°C
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- E Series
- :
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