FQP3N30

产品信息

晶体管极性:

N沟道

漏源电压, Vds:

300V

电流, Id 连续:

3.2A

在电阻RDS（上）:

1.65ohm

晶体管封装类型:

TO-220

晶体管安装:

通孔

电压 @ Rds测量:

10V

阈值电压 Vgs:

1.65V

功耗 Pd:

55W

针脚数:

3引脚

工作温度最高值:

150°C

产品范围:

QFET Series

汽车质量标准:

-

MSL:

-