SISH410DN-T1-GE3

产品信息

晶体管极性:

N沟道

漏源电压, Vds:

20V

电流, Id 连续:

35A

在电阻RDS（上）:

0.004ohm

晶体管封装类型:

PowerPAK 1212

晶体管安装:

表面安装

电压 @ Rds测量:

10V

阈值电压 Vgs:

2.5V

功耗 Pd:

52W

针脚数:

8引脚

工作温度最高值:

150°C

产品范围:

TrenchFET Series

汽车质量标准:

-

MSL:

MSL 1 -无限制