STH275N8F7-2AG

产品信息

晶体管极性:

N沟道

漏源电压, Vds:

80V

电流, Id 连续:

180A

在电阻RDS（上）:

0.0017ohm

晶体管封装类型:

TO-263 (D2PAK)

电压 @ Rds测量:

10V

阈值电压 Vgs:

4.5V

功耗 Pd:

315W

针脚数:

2引脚

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

STripFET F7 Series

汽车质量标准:

AEC-Q101

MSL:

MSL 1 -无限制