FQPF33N10L

产品信息

晶体管极性:

N沟道

漏源电压, Vds:

100V

电流, Id 连续:

18A

在电阻RDS（上）:

0.039ohm

晶体管封装类型:

TO-220F

电压 @ Rds测量:

10V

阈值电压 Vgs:

2V

功耗 Pd:

41W

针脚数:

3引脚

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

QFET Series

汽车质量标准:

-