SIA910EDJ-T1-GE3

产品概述

SIA910EDJ-T1-GE3 是一款双N沟道MOSFET, 表面安装封装。适用于便携式和高频DC-DC转换器的负载开关应用。

  • 无卤素
  • TrenchFET® power MOSFET
  • 耐热增强型PowerPAK®封装
  • 占用空间小
  • 低导通电阻
  • ESD保护
  • 100%Rg经过测试

产品信息


:
N沟道

:
12V

:
4.5A

:
0.023ohm

:
PowerPAK SC70

:
表面安装

:
4.5V

:
400mV

:
7.8W

:
6引脚

:
150°C

:
-

:
-

:
MSL 1 -无限制

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