产品概述
SIA910EDJ-T1-GE3 是一款双N沟道MOSFET, 表面安装封装。适用于便携式和高频DC-DC转换器的负载开关应用。
- 无卤素
- TrenchFET® power MOSFET
- 耐热增强型PowerPAK®封装
- 占用空间小
- 低导通电阻
- ESD保护
- 100%Rg经过测试
产品信息
- :
- N沟道
- :
- 12V
- :
- 4.5A
- :
- 0.023ohm
- :
- PowerPAK SC70
- :
- 表面安装
- :
- 4.5V
- :
- 400mV
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- 7.8W
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- 6引脚
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- 150°C
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- MSL 1 -无限制