产品概述
The SIA519EDJ-T1-GE3 is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- Typical ESD protection
- 100% Rg tested
应用
工业, 电源管理
产品信息
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- 互补N与P沟道
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- 20V
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- 4.5A
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- 0.053ohm
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- PowerPAK SC70
- :
- 表面安装
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- 4.5V
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- 600mV
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- 7.8W
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- 6引脚
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- 150°C
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- MSL 1 -无限制