SQUN702E-T1_GE3

产品信息

晶体管极性:

互补N与P沟道, N沟道

漏源电压, Vds:

200V

电流, Id 连续:

30A

在电阻RDS（上）:

0.0077ohm

晶体管封装类型:

-

晶体管安装:

表面安装

电压 @ Rds测量:

10V

阈值电压 Vgs:

3V

功耗 Pd:

60W

针脚数:

10引脚

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

TrenchFET Series

汽车质量标准:

AEC-Q101

MSL:

MSL 1 -无限制