SI4564DY-T1-GE3

产品信息

晶体管极性:

Complementary N and P Channel

漏源电压, Vds:

40V

电流, Id 连续:

10A

在电阻RDS（上）:

0.0145ohm

晶体管封装类型:

SOIC

晶体管安装:

Surface Mount

电压 @ Rds测量:

10V

阈值电压 Vgs:

800mV

功耗 Pd:

3.1W

针脚数:

8引脚

工作温度最高值:

150°C

产品范围:

-

汽车质量标准:

-

MSL:

MSL 1 - Unlimited