产品概述
FDG6320C 是一款双N/P沟道, 逻辑电平增强模式MOSFET, 高单元密度, 采用DMOS技术。这种高密度工艺经过优化, 可最大程度地降低导通电阻。该器件设计用于低压应用, 可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。这款双数字FET不需要偏置电阻, 因此可以替代多种数字晶体管, 采用不同的偏置电阻值。
- 小封装尺寸
- 非常低的栅极驱动要求, 允许在3V电路中直接运行 (VGS(th)<1.5V)
- 栅-源齐纳二极管, 提供优秀的ESD性能
应用
工业, 电源管理
产品信息
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- 互补N与P沟道
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- 25V
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- 220mA
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- 4ohm
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- SC-70
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- 表面安装
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- 4.5V
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- 850mV
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- 300mW
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- 6引脚
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- 150°C
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- MSL 1 -无限制