SCT30N120

产品信息

MOSFET配置:

单

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

40A

漏源电压, Vds:

1.2kV

在电阻RDS（上）:

0.08ohm

晶体管封装类型:

HiP247

针脚数:

3引脚

电压 @ Rds测量:

20V

阈值电压 Vgs:

2.6V

功耗 Pd:

270W

工作温度最高值:

200°C

产品范围:

-

MSL:

MSL 1 -无限制