产品概述
Starpower IGBT模块和阵列具有超低传导损耗和耐短路性能。设计用于通用逆变器和UPS等应用。采用Trench IGBT技术, 最高结温175°C, 隔离铜基板采用DBC技术。
产品信息
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- 半桥
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- 双N沟道
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- 200A
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- 1.2kV
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- 0.01ohm
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- Module
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- 18V
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- 5.6V
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- 150°C
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Starpower IGBT模块和阵列具有超低传导损耗和耐短路性能。设计用于通用逆变器和UPS等应用。采用Trench IGBT技术, 最高结温175°C, 隔离铜基板采用DBC技术。