SCT2H12NYTB

产品信息

MOSFET配置:

单

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

4A

漏源电压, Vds:

1.7kV

在电阻RDS（上）:

1.15ohm

晶体管封装类型:

TO-268 (D3PAK)

针脚数:

2引脚

电压 @ Rds测量:

18V

阈值电压 Vgs:

2.8V

功耗 Pd:

44W

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

-

MSL:

MSL 1 -无限制