NVBG020N090SC1

产品信息

MOSFET配置:

单

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

112A

漏源电压, Vds:

900V

在电阻RDS（上）:

0.02ohm

晶体管封装类型:

TO-263 (D2PAK)

针脚数:

7引脚

电压 @ Rds测量:

15V

阈值电压 Vgs:

2.6V

功耗 Pd:

477W

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

-