IMW65R048M1HXKSA1

产品信息

MOSFET配置:

单

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

39A

漏源电压, Vds:

650V

在电阻RDS（上）:

0.048ohm

晶体管封装类型:

TO-247

针脚数:

3引脚

电压 @ Rds测量:

18V

阈值电压 Vgs:

4.5V

功耗 Pd:

125W

工作温度最高值:

150°C

产品范围:

CoolSiC M1 Series