SCTL35N65G2V

产品信息

MOSFET配置:

单

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

40A

漏源电压, Vds:

650V

在电阻RDS（上）:

0.045ohm

晶体管封装类型:

PowerFLAT HV

针脚数:

5引脚

电压 @ Rds测量:

20V

阈值电压 Vgs:

3.2V

功耗 Pd:

417W

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

-

MSL:

MSL 3 - 168小时