IMBF170R650M1XTMA1

产品信息

MOSFET配置:

单

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

7.4A

漏源电压, Vds:

1.7kV

在电阻RDS（上）:

0.526ohm

晶体管封装类型:

TO-263 (D2PAK)

针脚数:

7引脚

电压 @ Rds测量:

15V

阈值电压 Vgs:

4.5V

功耗 Pd:

88W

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

CoolSiC Series