SCTH35N65G2V-7

产品信息

MOSFET配置:

单

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

45A

漏源电压, Vds:

650V

在电阻RDS（上）:

0.045ohm

晶体管封装类型:

H2PAK

针脚数:

7引脚

电压 @ Rds测量:

20V

阈值电压 Vgs:

3.2V

功耗 Pd:

208W

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

-

MSL:

MSL 1 -无限制