NTH4L160N120SC1

产品信息

MOSFET配置:

单

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

17.3A

漏源电压, Vds:

1.2kV

在电阻RDS（上）:

0.16ohm

晶体管封装类型:

TO-247

针脚数:

4引脚

电压 @ Rds测量:

20V

阈值电压 Vgs:

3.1V

功耗 Pd:

111W

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

-