BSM600D12P3G001

产品信息

MOSFET配置:

半桥

晶体管极性:

双N沟道

电流, Id 连续:

600A

漏源电压, Vds:

1.2kV

在电阻RDS（上）:

-

晶体管封装类型:

Module

针脚数:

-

电压 @ Rds测量:

-

阈值电压 Vgs:

5.6V

功耗 Pd:

2.45kW

工作温度最高值:

150°C

产品范围:

-