CAB425M12XM3

产品信息

MOSFET配置:

半桥

晶体管极性:

双N沟道

电流, Id 连续:

450A

漏源电压, Vds:

1.2kV

在电阻RDS（上）:

0.0032ohm

晶体管封装类型:

Module

针脚数:

-

电压 @ Rds测量:

15V

阈值电压 Vgs:

2.5V

功耗 Pd:

-

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

-