SCTWA90N65G2V-4

产品信息

MOSFET配置:

单

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

119A

漏源电压, Vds:

650V

在电阻RDS（上）:

0.018ohm

晶体管封装类型:

HiP247

针脚数:

4引脚

电压 @ Rds测量:

18V

阈值电压 Vgs:

3.2V

功耗 Pd:

565W

工作温度最高值:

200°C

产品范围:

-