SCTWA40N120G2V-4

产品信息

MOSFET配置:

-

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

45A

漏源电压, Vds:

1.2kV

在电阻RDS（上）:

0.07ohm

晶体管封装类型:

HiP247LL

针脚数:

4引脚

电压 @ Rds测量:

18V

阈值电压 Vgs:

-

功耗 Pd:

-

工作温度最高值:

200°C

产品范围:

TrenchFET Gen II Series