GA10JT12-263

产品信息

MOSFET配置:

Single

晶体管极性:

N沟道

电流, Id 连续:

10A

漏源电压, Vds:

1.2kV

在电阻RDS（上）:

-

晶体管封装类型:

TO-263 (D2PAK)

针脚数:

3引脚

电压 @ Rds测量:

-

阈值电压 Vgs:

-

功耗 Pd:

94W

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

-

MSL:

MSL 1 - Unlimited