CAS325M12HM2

产品信息

MOSFET配置:

半桥

晶体管极性:

双N沟道

电流, Id 连续:

444A

漏源电压, Vds:

1.2kV

在电阻RDS（上）:

0.0037ohm

晶体管封装类型:

Module

针脚数:

-

电压 @ Rds测量:

20V

阈值电压 Vgs:

2.6V

功耗 Pd:

1.5kW

工作温度最高值:

175°C

产品范围:

C2M Z-Rec Series