NXH80T120L2Q0S2G

产品信息

IGBT配置:

PIM 半桥逆变器

集电极直流电流:

67A

集电极发射饱和电压, Vce:

2.35V

功耗 Pd:

158mW

结温, Tj 最大值:

150°C

晶体管封装类型:

PIM

IGBT端接:

焊接

集电极发射电压, Vceo:

1.2kV

IGBT技术:

Trench Field Stop

产品范围:

-