MPIM650H217TG5

产品信息

IGBT配置:

半桥

集电极直流电流:

650A

集电极发射饱和电压, Vce:

1.85V

功耗 Pd:

4.16kW

结温, Tj 最大值:

150°C

晶体管封装类型:

Module

IGBT端接:

焊接

集电极发射电压, Vceo:

1.7kV

IGBT技术:

IGBT 5 [Trench]

产品范围:

-