GD150HHU120C6S

产品信息

IGBT配置:

H桥

集电极直流电流:

230A

集电极发射饱和电压, Vce:

2.9V

功耗 Pd:

1.179kW

结温, Tj 最大值:

125°C

晶体管封装类型:

Module

IGBT端接:

压合

集电极发射电压, Vceo:

1.2kV

IGBT技术:

NPT 超快 IGBT

产品范围:

-