GD650HFX170P1S

产品信息

IGBT配置:

半桥

集电极直流电流:

1.073kA

集电极发射饱和电压, Vce:

1.9V

功耗 Pd:

4.2kW

结温, Tj 最大值:

150°C

晶体管封装类型:

Module

IGBT端接:

螺柱

集电极发射电压, Vceo:

1.7kV

IGBT技术:

Trench Field Stop

产品范围:

-