GD100HFU120C1S

产品信息

IGBT配置:

半桥

集电极直流电流:

200A

集电极发射饱和电压, Vce:

3.1V

功耗 Pd:

1.136kW

结温, Tj 最大值:

125°C

晶体管封装类型:

Module

IGBT端接:

螺柱

集电极发射电压, Vceo:

1.2kV

IGBT技术:

NPT 超快 IGBT

产品范围:

-