NXH100B120H3Q0STG

产品信息

IGBT配置:

双

集电极直流电流:

50A

集电极发射饱和电压, Vce:

1.77V

功耗 Pd:

186W

结温, Tj 最大值:

150°C

晶体管封装类型:

PIM

IGBT端接:

焊接

集电极发射电压, Vceo:

1.2kV

IGBT技术:

Trench Field Stop

产品范围:

NXH100B120H3Q0 Series