IXDN75N120

产品信息

IGBT配置:

单

集电极直流电流:

150A

集电极发射饱和电压, Vce:

2.2V

功耗 Pd:

660W

结温, Tj 最大值:

150°C

晶体管封装类型:

SOT-227B

IGBT端接:

螺柱

集电极发射电压, Vceo:

1.2kV

IGBT技术:

NPT IGBT [标准]

产品范围:

-